导带:PN结，导带、满带、空带、禁带分别是什么意思？

1.PN结，导带、满带、空带、禁带分别是什么意思？

PN结:采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性以下内容转自知乎。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。让我们从最基本的开始……以下如果没有特别说明主角都是电子。首先从量子力学的基本假设——不连续性可以推出原子外电子的在条件一定的情况下只能取到某些特定的能量，//pic1.zhimg.com/50/9d4af36a610edc44b3ea9e5d73c4a514_hd.jpg"230"我是氢原子的电子能级）当体系中有很多个原子的时候，由于原子间的相互作用，原子的能级会发生移动。原本相同的一条能级变成了一组差别很小的能级，由于能带内不同能级的能量差别非常小，所以很多时候在能带内可以忽略间隔，认为能量是连续的。lt;https://pic2.zhimg.com/50/266f0bd87745c9b8708a28109558c5c1_hd.jpg"data-rawheight="class="content_image"width="388">左侧的能级扩展成了右侧的能带）由于能带是由能级扩展而来，能带和能级一样，相互之间存在没有能级的间隔，这个间隔就是禁带，电子无法取到禁带中的能量。当原子处于基态的时候，它的所有电子从最低能级开始依次向上填充。电子刚好填充到某一个能带满了，下一个能带全空。这些被填满的能带称为满带，满带中能量最高的一条称为价带。由于电流的产生需要载流子发生定向运动，而价带中电子已经占据了所有可能的能级，绝大多数电子相邻位置上的态都已经被占据了，所以价带中的电子可以认为是不导电的。能量最高的一个价带，到能量更高的下一个能带之间有一个禁带，但是这个禁带的宽度（能量）不是很大，所以有一些电子有机会跃迁到下一个能带。由于这个能带几乎是空的，所以电子们跃迁到这个能带之后就可以自由地奔跑。

2.什么是价带？导带？禁带？

花生236【半导体】（1）导带conductionbandA解释导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。所有价电子所处的能带就是导带。所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。半导体的价带(valenceband)是满带(见能带理论)，价带中的部分电子会越过禁带(forbiddenband/bandgap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，可看成是电子的势能，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化。

3.空穴只存在价带中吗？导带中没有空穴吗？

虽然电子这个术语是能够跟价带联系到一起的，但是我们应该设想到这个术语通常指的是导带电子。

4.什么是导带和禁带？

导带和价带都是能带。那么能带底就包括导带底和价带底，能带顶同理。导带和价带如图：Ec就是导带底所处的能级，Ev就是价带顶所处的能级。

5.半导体物理学:能带底和导带底，能带顶和价带顶有什么区别 还有能带，允带，禁带，导带，价带之间关系

这个问题我来，我是微电子专业的。首先，导带和价带都是能带。那么能带底就包括导带底和价带底，能带顶同理。导带和价带如图：Ec就是导带底所处的能级，Ev就是价带顶所处的能级。禁带宽度就是中间的Eg，是不允许电子存在的部分（禁是禁止之意）。

6.金属有没有导带价带禁带？

花生236【半导体】（1）导带conductionbandA解释导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。所有价电子所处的能带就是导带。所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。半导体的价带(valenceband)是满带(见能带理论)，价带中的部分电子会越过禁带(forbiddenband/bandgap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；凡是能带发生倾斜的区域。

7.为什么电子聚于导带底，空穴位于价带顶

电子和空穴分别遵循玻尔兹曼分布函数，遵循玻尔兹曼分布函数的条件是E-Ef远远大于KT，而大部分半导体情况的费米能级Ef离导带的距离远远大于KT。